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Product CenterMOS管導通特性,導通的意義是作為開關,相當于開關閉合。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會導通,適宜用于源極接地時的情況(低端驅動),只需柵極電壓抵達4V或10V就可以了。PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會導通,適宜用于源極接VCC時的情況。MSC025SMA120J美高森美MOS管場效應管全新
IGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關電源等。問世有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、雙極型達林頓管等,單個元件電壓可達4.0KV(pt結構)一6.5KV(npt結構),電流可達1.5KA,是較為理想的功率模塊。美高森美IGBT模塊APT150GN60JDQ4全新現(xiàn)貨
IGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關電源等。問世有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、雙極型達林頓管等,單個元件電壓可達4.0KV(pt結構)一6.5KV(npt結構),電流可達1.5KA,是較為理想的功率模塊。美高森美IGBT模塊/APT200GN60J/功率模塊
IGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關電源等。問世有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、雙極型達林頓管等,單個元件電壓可達4.0KV(pt結構)一6.5KV(npt結構),電流可達1.5KA,是較為理想的功率模塊。美高森美IGBT模塊/功率模塊/功率半導體模塊
IGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關電源等。問世有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、雙極型達林頓管等,單個元件電壓可達4.0KV(pt結構)一6.5KV(npt結構),電流可達1.5KA,是較為理想的功率模塊。APT200GN60JDQ4 美高森美IGBT功率模塊現(xiàn)貨