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IGBT使用注意事項(xiàng)（1）操作過(guò)程中要佩戴防靜電手環(huán)（2）盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸（3）IGBT模塊驅(qū)動(dòng)端子上的黑色海綿是防靜電材料，用戶用接插件引線時(shí)取下防靜電材料立即插上引線（4）在焊接作業(yè)時(shí)，設(shè)備容易引起靜電的產(chǎn)生，為了防止靜電的產(chǎn)生，先將設(shè)備處于良好的接地狀態(tài)下。英飛凌IGBT模塊4單元H橋電子元器件半導(dǎo)體

選擇IGBT模塊時(shí)，通常是先計(jì)算通過(guò)IGBT模塊的電流值，然后根據(jù)電力電子設(shè)備的特點(diǎn)，考慮到過(guò)載、電網(wǎng)波動(dòng)、開(kāi)關(guān)尖峰等因素考慮一倍的安全余量來(lái)選擇相應(yīng)的IGBT模塊。但嚴(yán)格的選擇，應(yīng)根據(jù)不同的應(yīng)用情況，計(jì)算耗散功率，通過(guò)熱阻核算具最高結(jié)溫不超過(guò)規(guī)定值來(lái)選擇器件。通過(guò)最高結(jié)溫可選擇較小的IGBT模塊通過(guò)更大的電流，更加有效地利用IGBT模塊。Infineon英飛凌6U三相橋IGBT模塊型號(hào)齊全

因?yàn)榇蠖鄶?shù)IGBT模塊工作在交流電網(wǎng)通過(guò)單相或三相整流后的直流母線電壓下，所以，通常IGBT模塊的工作電壓，均對(duì)應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級(jí)。考慮到過(guò)載，電網(wǎng)波動(dòng)，開(kāi)關(guān)過(guò)程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設(shè)備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收等設(shè)計(jì)比較好，就可以使用較低耐壓的IGBT模塊承受較高的直流母線電壓。全新*英飛凌IGBT模塊整流+七單元半導(dǎo)體

對(duì)于一個(gè)具體的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，在選擇IGBT功率模塊時(shí)，需要考慮其在任何靜態(tài)、動(dòng)態(tài)、過(guò)載（如短路）的運(yùn)行情況下：器件耐壓；在實(shí)際的冷卻條件下，電流的承受力；合適的開(kāi)關(guān)頻率；安全工作區(qū)（SOA)限制；最高運(yùn)行限制；封裝尺寸等等。英飛凌IGBT功率模塊半橋2單元可控硅晶閘管

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”。西門(mén)康模塊IGBT智能功率模塊賽米控元器件 SKIIP 系列