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富士FUJI模塊現(xiàn)貨供應(yīng)，絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極。

分立二極管主要有三種封裝形式：軸向二極管、螺栓型以及平板型。按性能分雪崩型、快恢復(fù)型、標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)型、（平板型）焊接二極管。晶閘管模塊ECOSEMITEK原廠原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

晶體閘流管（Thyristor）又稱作可控硅整流器，曾被簡(jiǎn)稱為可控硅；1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和門(mén)極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。丹尼克斯模塊原裝*現(xiàn)貨供應(yīng)

快速恢復(fù)二極管也常用普通二極管的圖形符號(hào)來(lái)表示，用文字說(shuō)明或在型號(hào)上予以區(qū)別?？焖倩謴?fù)二極管與普通二極管相似，但制造工藝與普通一極管有所不同。在靠近PN結(jié)處的摻雜濃度很低，以此獲得較高的開(kāi)關(guān)速度和較低的正向壓降。它的反向恢復(fù)時(shí)間為200～750 ns，高速的可達(dá)10 ns。大衛(wèi)快恢復(fù)二極管功率模塊現(xiàn)貨供應(yīng)

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