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IGBT動態特性是 ：IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲...
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IGBT動態特性是 ：IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲...
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IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電...
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西門康IGBT驅動板 包括三大類：Driver驅動板、Driver Core驅動芯、Adaptor Board適配板，適于驅動600V、1200V、1700V三種電壓等級的IGBT模塊。IGBT模塊具...
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IGBT,絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓...
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SEMITRANS是一種穩健的工業標準封裝，配備銅底板和用于電源連接的螺絲端子。SEMITRANS封裝采用低電感設計，可用于20kW至500kW的逆變器。通過多渠道采購的IGBT以及賽米控CAL二極管...
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